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2017年全球單、多晶未來格局分析
2017/7/6 18:10:10 來源:中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng) 【字體:大 中 小】【收藏本頁】【打印】【關閉】
核心提示:目前全球單晶格局若不考慮中國則單晶處于下降趨勢,主要由于海外單晶組件價格長期高于多晶組件 0.06-0.1 美元/瓦,在性價比區(qū)間范圍之外,隨著 BOS 成本不斷下降,海外單晶組件滲透率在不斷下降。但是由于 2016 年以來單晶成本快速目前全球單晶格局若不考慮中國則單晶處于下降趨勢,主要由于海外單晶組件價格長期高于多晶組件 0.06-0.1 美元/瓦,在性價比區(qū)間范圍之外,隨著 BOS 成本不斷下降,海外單晶組件滲透率在不斷下降。
但是由于 2016 年以來單晶成本快速下降,單晶的成本優(yōu)勢逐步凸顯,未來單多晶組件價差將會縮小至 0.01-0.02 美元/瓦,性價比逐步凸顯,未來占比必然逐漸上升;
1、多晶金剛線改造無法逆轉單晶滲透率提升的趨勢
單、多晶硅片主要差異在于長晶與鑄錠環(huán)節(jié),拉晶成本一直以來明顯高于鑄錠,所以單晶成本優(yōu)勢不明顯,隨著拉晶速度和工藝的不斷成熟,拉晶的成本劣勢已經(jīng)逐步消失。而在目前的工藝水平下,單晶電池的轉換效率比多晶電池轉換效率高 1.5%,價格多晶轉化效率為 20%,則單晶電池轉換效率比多晶電池高 7.5%,按照目前多晶組件34 美分/瓦計算,7.5%的效率提升價值2.55 美分/瓦,單多晶之間除了拉晶有一定差異,則后端制造成本完全一致。
目前以隆基為代表單晶企業(yè),將拉晶成本下降至 40-50 元/kg,即每瓦僅 1.9-2.3 美分/瓦,多晶即使完成金剛線和黑硅改造,成本優(yōu)勢依舊不明顯。
單晶硅片非硅成本接近多晶硅片:2016年隆基非硅成本下降速度大大高于保利協(xié)鑫,成本約為 0.065 美元/W,與保利協(xié)鑫多晶硅片 0.065 美元/W非硅成本相同。
多晶硅片與單晶硅片成本與效率提升差異測算
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
2、海外單、多晶組件價差長期較大,單晶滲透率有待提升
海外單晶組件滲透率逐步下降:排除中國的因素,近年來海外市場單晶占比迅速下降至2016 年的 12%,遠低于國內 27%的占比;日本季度裝機單多晶格局也可看出單晶占比的下降趨勢。
單、多晶組件價差較大,海外單晶性價比不明顯:海外市場的單多晶組件價差保持在6-10 美分/W 左右波動保持動態(tài)平衡,隨著 BOS(非組件成本)的下降,單晶組件性價比優(yōu)勢不明顯。
國內價差縮小,推動單晶滲透率不斷提升:國內裝機 2014 年開始應用單晶組件,2015年與 2016 年由于隆基股份單晶硅片成本迅速下降,單晶組件價格僅高于多晶組件 0.1元/瓦,所以單晶組件在國內占比迅速由 5%上升至 27%。
單晶性價比未來將持續(xù)提升且高于單晶:單晶硅片在高效電池和薄片化領域有明顯的應用優(yōu)勢。國內領先企業(yè)單晶硅片厚度年內可從190-200μm的水平逐步下降到 180μm,未來有望降至 150μm。而多晶硅片的易碎,不易彎折,在薄片化的應用上有先天的劣勢。
在高效電池的應用上,目前所有已知的高效電池技術均已經(jīng)成功應用于單晶硅片,高效記錄保持者 IBC 和 HIT 技術均是采用單晶硅片,而多晶硅片由于晶體的不規(guī)則,所以導致了應用上確實存在難度。
海外單多晶占比變化(不考慮中國)
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
日本市場單多晶格局
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
海外單、多晶組件價格及其價差(單位: $/W)
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
國內單多晶組件價格及其價差(單位: $/W )
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單晶電池效率整體高于多晶電池
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最高效的電池技術均成功應用于單晶
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
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