終端、云端應用增長爆炸，存儲器銷售額預計增長 58%，達 1220 億美元。終端方面，手機存儲升級、PC 固態硬盤滲透率提升是拉動需求主因。2016 下半年以來各大手機廠商RAM、Flash 容量紛紛升級，以蘋果手機為例，iPhone7 Plus 起運行內存由 2GB 升至 3GB，蘋果全線手機閃存最低配置由 16GB 升至 32GB，iPhone8 起閃存最低配置升至 64GB，最高至 256GB；安卓廠商則紛紛推出 6GB 運行內存機型，主流機型 64GB 閃存已較為尋常。PC 固態硬盤（SSD）相較機械硬盤（HDD）具有讀寫速度快、防震動、無噪音、輕薄、節能等一系列優點，SSD 取代 HDD 是未來趨勢，當前限制因素主要是 SSD 成本偏高。2015 年 PC 市場 SSD 滲透率為 25%，2017 年已達 40%。云端方面，企業級 SSD 存儲需求是重要成長點，應用包括視頻安防、云端服務器等領域。以監控存儲需求為例，每臺 1080P 設備每天大概產生 40GB 的存儲需求，每年達 14TB。云端服務器市場客戶包括 Facebook、亞馬遜(Amazon)、百度、阿里巴巴、Google 等，2017 年市場規模 1840萬臺。HDD 由于容量大、成本低目前仍是云端市場主流，約占 80%，中長期來看，隨著 3DNAND 技術逐漸成熟，SSD 取代 HDD 速度或將加快，屆時對 NAND Flash 需求或爆發，恐再次出現供不應求現象。預計 2017 年存儲器市場同比增長 58%,銷售額達 1220億美元。

筆記本電腦 SSD 滲透率

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　　NANDFlash、DRAM 為存儲器市場主力軍，NORFlash 市場小但機會大。按照市場規模看，DRAM 約占存儲器市場 53%，NANDFlash 約占存儲器市場 42%，二者合計份額達95%，為存儲器市場主要構成產品。2017 年 NAND Flash 銷售額預計年增 44%，DRAM 銷售額預計年增 74%，拉動作用極其明顯。NOR Flash 主要機會在于市占率約 25%的賽普拉斯、市占率近 20%的美光陸續退出市場，而物聯網、工控應用等市場需求依舊旺盛，對于現有玩家而言填補市場機會巨大。從長期角度來看，NANDFlash仍為未來市場主要方向。2020 年 NANDFlash 市場規模上看 650億美元。

全球存儲器產品結構（按銷售額）

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圖全球存儲器銷售額及年增率（百萬美元）

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　　NAND Flash 存儲價格上漲分化，部分產品短期價格有所回調。2017 年 Q1 至 Q3 NANDFlash 延續了 2016 年的漲勢，2017 年初至 10 月 128GbMLC 漲幅達 44%。在大趨勢上漲之下，自 2017Q3 開始，NAND Flash 部分產品價格漲勢放緩并有所回調，其中 64GB MLC價格于 2017Q3 下降 8%左右。NANDFlash 下游嵌入式存儲 eMMC 及 SSD 價格總體呈上漲趨勢，Q3 以來同樣呈微幅震蕩態勢。后期 NANDFlash 價格走勢仍不明朗。

NAND Flash 價格（單位：美元）

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NAND Flash 下游嵌入式存儲和 SSD 價格（單位：美元）

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　　NAND 存儲器技術處于變革關鍵時間點，未來價格關注 3D 產能情況。NAND 存儲器制程轉換遭遇瓶頸，采用 3D 堆疊技術為主要解決方案。3D 產能目前三星投產率、良率最高，其 64 層 3D-NAND 三季度已進入量產階段，3D 產出占投產量達 50%，其他廠商亦在 Q3 有所放量，粗略估計 2017Q3 全球新增產能超 20 萬片/月，新增產能對 NAND Flash 供應緊缺的壓力有所緩解。

　　同時，3D NAND Flash 存儲密度高，單位容量成本低：據中國閃存市場網估計，3D NAND 技術下每 GB 成本約 0.1 美金，較 2D 結構至少低 30%。在 48 層 3D TLC架構下，1TB SSD 成本已低于 2D TLC 架構，3DNAND 較 2DNAND 更為經濟。另一方面，NANDFlash 下游需求增長空間仍大：智能手機及 SSD 滲透率提升仍構成 NAND Flash 的巨大需求。供給產能的緩解與需求空間的提升對 NAND Flash 價格構成相反影響，未來價格變化依舊有待觀察。

2017 年 NAND Flash 主要廠商產量（單位：萬片）

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2017 年主要 Flash 原廠新增 3D NAND 投產規劃

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2D 和 3D 1TB SSD 成本對比（單位：美元）

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　　DRAM 價格繼續走強，維持上漲態勢。DRAM 價格于 2017Q2 有所回調，2017Q3 后則繼續維持 2016 年以來漲勢，2017 年初至 10 月，DDR3 4G 1600MHz 價格上漲 25%左右。拉動 DRAM 價格上漲原因主要有：（1）需求端來看，終端云端需求不減：終端智能手機內存容量升級，云端服務器、數據中心的強勁需求均拉動 DRAM 需求的增長。（2）供給端來看，DRAM 廠產能增加有限：三大 DRAM 廠（三星、海力士、美光）產能增加空間已相當有限，接近滿載，從產能規劃來看，2018 年新增投片量僅約 5-7%，源于現有工廠產能的重新規劃，資本支出傾向于保守，僅 SK 海力士決議在無錫興建新廠，最快產能開出時間落在2019 年。需求供給兩側來看，預計 2018 年 DRAM 價格仍將維持上漲態勢。

DRAM 價格（單位：美元）

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　　NORFlash 價格季漲 10%~15%，供不應求漲勢延續。由于 NORFlash 市場較小，2016年以來 NORFlash 巨頭美光及 Cypress 紛紛宣布淡出，退至較高端車用及工控市場，主要供應轉入旺宏、華邦電、兆易創新等廠商，一時間供給不及需求，漲價幅度迅速擴大。由于芯片內執行的特性，NORFlash 尚無法被完全取代，未來市場機會較大。兆易創新目前全球NORFlash 市占率排名第六，與臺廠采用 IDM 模式 8 寸和 12 寸晶圓產線均擴產謹慎不同，兆易創新采用 12 寸晶圓 Fabless 代工模式，主要代工廠從武漢新芯向中芯國際逐步轉移，未來理論產能較為充足，大幅受益于產品價格上漲。

NORFlash 廠商市占率

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