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三星拒絕降價 全球DRAM芯片價格將觸底反彈?
2023/5/13 12:31:46 來源:中國電子報 【字體:大 中 小】【收藏本頁】【打印】【關閉】
核心提示:存儲芯片作為最具有周期性的芯片品類之一,一向有著半導體行業的“晴雨表”之稱,但此次下行周期的下跌幅度和持續時間都超出了業界預期。近日,三星已經通知分銷商拒絕以低于當前價格出存儲芯片作為最具有周期性的芯片品類之一,一向有著半導體行業的“晴雨表”之稱,但此次下行周期的下跌幅度和持續時間都超出了業界預期。近日,三星已經通知分銷商拒絕以低于當前價格出售DRAM芯片,市場或將迎來觸底反彈?
降價不如減產
DRAM作為存儲芯片的第一大品類,占據了全球存儲市場超一半的份額,可由于消費電子市場下行,大大減少了對存儲器產品的需求,導致本次市場下行的幅度超乎想象。根據TrendForce集邦咨詢發布的數據,2022年第四季度DRAM產業營收122.8億美元,環比下降32.5%,跌幅甚至超越第三季度的28.9%,已逼近2008年年底金融海嘯時單季36%的跌幅。預估2023年第一季度DRAM價格跌幅會收斂至13%~18%,但仍不見下行周期的終點。
如此冷峻的市場環境讓以存儲芯片為主要業務的廠商叫苦不迭,首當其沖的就是行業龍頭老大,占據約40%DRAM市場份額的三星。三星表示,2023年第一季度的合并銷售額約63萬億韓元(約合人民幣3267億元),同比下跌19%,合并營業利潤約6000億韓元(約合人民幣31.1億元),同比下跌95.8%--如此跌幅是時隔14年,也就是自2009年來第一次出現合并營業利潤跌破1萬億韓元的情況。而造成本次營收如此慘淡的原因是存儲芯片業務的進一步惡化。
在重重經營壓力之下,一直號稱只降價不減產的三星,被迫發布聲明稱“將根據對公司已確保足夠數量以應對未來內存需求變化的評估,進行產線調整,將內存產量降低到有意義的水平,并優化已經在進行中的生產線運營。”這是自1998年金融危機以來,三星時隔25年首次制定正式減產方案。
賽迪顧問集成電路高級分析師楊俊剛向《中國電子報》記者表示,從目前市場的價格來看,銷售價格已經低于成本價,有的DRAM產品的價格已經同比降低了52%。如果按照容量來算,基本處于歷史最低價格,但是由于下游市場需求疲軟,在銷量上并沒有明顯的提升。“降價對市場銷售額的提升作用較小。現在SK海力士、美光等存儲器領先廠商紛紛通過減少產量、降低資本投資、降薪裁員等方式來減少因銷售經營所帶來的影響。”楊俊剛說道。
芯謀研究高級分析師張彬磊認為,三星、SK海力士、美光等大廠只要減產,市場上的庫存短期內就不會上升,就可以達到擴大市場需求,回升市場價格的效果。
“三星此舉是正確的,SK海力士和美光應該立馬效仿,同時采取這個策略,這有助于DRAM市場回暖。”張彬磊說道。
產能將轉向高端?
另一個值得注意的地方是三星此次的減產只針對DDR4 DRAM,從而將更多產能轉向DDR5/LPDDR5。DDR5在性能上相對于DDR4具有較大的提升,主要表現在帶寬速度、單片芯片密度、工作頻率三個方面。因此,DDR5更適用于數據中心、元宇宙、AI等新興領域的服務器產品。半導體廠商削減過剩的DRAM產品,提前儲備未來趨勢產品,有利于庫存水位的調整。
半導體行業專家張先揚表示,DDR5/LPDDR5對比DDR4利潤空間和溢價空間更大,三星旨在通過改變產品結構以改善營收,也表現了三星對DRAM市場的樂觀預期。綜合來看,2024年上半年DRAM市場情況依然嚴峻,但跌幅已趨收窄,在各大Foundry限產和需求市場逐漸回暖的背景下,預計到2024年年末DDR5/LPDDR5將取代大部分DDR4,DRAM市場有望在2024年第三或第四季度回暖。
目前,三星、SK海力士和美光在DRR5 DRAM技術上的較量已經進入白熱化,各方都在不斷推出新的技術和產品,并且都已經進入市場。從合作對象來看,三大存儲芯片廠商在DDR5方面都已與英特爾和AMD等服務器處理芯片供應商合作,以便更好、更快地提高處理器芯片和存儲器芯片之間的兼容性。
除了DDR5,乘著AI領域發展東風的還有HBM DRAM。HBM對于高性能計算系統中的生成型AI運行起到至關重要的作用,因此受到了內存芯片行業的廣泛關注。目前最新的HBM3規格DRAM被認為是快速處理大量數據的理想產品。
2023年開年以來,三星、SK海力士的HBM訂單快速增加,價格也水漲船高。有消息稱,近期HBM3規格DRAM價格上漲了5倍。英偉達已經將SK海力士的HBM3安裝到其高性能GPU H100上,而H100已用于ChatGPT服務器。
4月20日,SK海力士宣布,首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品。SK海力士的工程師通過應用先進的批量回流模壓填充(MR-MUF)技術,提高了新產品的工藝效率和性能穩定性,同時通過硅通孔(TSV)技術,將單個DRAM芯片的厚度降低了40%,達到了與16GB產品相同的堆疊高度水平。SK海力士有關人士表示:“這款新品的內存容量比前一代產品增加50%的24GB封裝產品,將在下半年向市場供應,以滿足由AI聊天機器人行業帶動的高端內存產品的需求。”
盡管HBM具有出色的性能,但與一般DRAM相比,其應用較少。這是因為HBM復雜的生產過程,平均售價至少是DRAM的3倍。但AI服務的擴展正在扭轉這樣的局面。據悉,目前已經有超過2.5萬塊英偉達計算卡加入到了深度學習的訓練中。未來,隨著生成式AI需求增長,HBM的需求也將呈現出上揚態勢。(記者 許子皓)
轉自:中國電子報