隨著現代計算機能力的不斷發展，推動著存儲器件朝著更高性能的方向發展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開發DDR5芯片，可提供更強大、更可靠的性能，支持現代服務器不斷增長的需求。

　　三星DDR5芯片采用新型的硅通孔(TSV) 8 層技術，與DDR4相比，該技術使得DDR5的單個芯片能夠包含兩倍的堆棧數量。每個雙列直插式存儲模塊(DIMM)還提供高達512GB的存儲空間。其數據傳輸速度高達4800 MT/s，專門用于處理繁重的工作負載。此外，三星DDR5還具有糾錯碼(ECC)電路，提高產品可靠性。

　　雖然，各大內存廠商紛紛推出了DDR5存儲產品，但是真正要實現DDR5的普及平臺的支持才是最大的問題。但是，目前還沒有正式支持DDR5內存的平臺，AMD預計會在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會上DDR5，而且是首發服務器產品，消費級的估計還要再等等。