中國半導體行業協會統計， 2017 年 1-9 月中國集成電路產業銷售額為 3646.1 億元，同比增長 22.4%。其中，設計業同比增長 25%，銷售額為 1468.4 億元；制造業在存儲器需求旺盛和國內 8 英寸線滿產的拉動下，保持高速增長， 1-9月同比增長 27.1%，銷售額為 899.1 億元；封裝測試業銷售額 1278.6 億元，同比增長 16.5%。從產業環節來看，國內集成電路制造、設計、封測、裝備、材料環節迎來黃金發展階段，基于技術門檻考慮，國產化進程勢必沿著封測-制造-材料路線傳導。 1）預計 IC 設計 2018 年將維持約 20%的增長； 2）中國存儲器長江存儲、合肥睿力、晉華集成 2018 年開始產能逐步開出，國產替代可期； 3）半導體材料被美日韓等少數國際少數公司壟斷，國內半導體材料部分材料已快速實現國產替代，如靶材標的江豐電子已經成功打破美國、日本跨國公司的壟斷格局，填補了國內電子材料行業的空白；占比最大的大硅片已經實現了國產替代 0 到 1 的過程，國產化替代逐步提上日程。4）全球半導體設備資本支出占總體資本支出的比例平均約為三分之二，隨著半導體節點技術增加以及生產建設加速，半導體設備迎來發展的黃金階段。 2017 年晶圓廠設備投資相關支出達到 570 億美元的歷史新高，較前一年增加 41％，2018 年支出可望增加 11％，達 630 億美元。 5）國內封測彎道超車，目前中國（不含臺灣省）集成電路封裝已經形成了三大領軍公司，分別是長電科技、華天科技、通富微電，都位居全球前十大封測公司之列。

　　2017 年中國 IC 設計業產值預估達人民幣 2006 億元，年增率為 22%，預估 2018年產值有望突破人民幣 2400 億元，維持約 20%的年增速。 目前國家大基金二期資金也正在募集當中，大基金二期投資項目在 IC 設計領域的投資比重有望增加至 20%-25%。

2016-2018 年中國 IC 設計產業概況

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　　從 2007 年與 2017 年中國十大集成電路設計公司銷售額對比可以看出，國內企業市場化逐步由低端轉向高端，政府采購也趨于市場化，銷售額實現快速增長，以海思為例，在 2007 年銷售額為 12.9 億元， 2017 年達到 390 億元，同比增長約 29 倍。觀察 2017 年中國 IC 設計產業發展，廠商技術發展僅限于低端產品的狀況已逐步改善，海思的高端手機應用處理芯片已率先采用 10nm 先進制程，海思、中興微的 NB-IoT、寒武紀、地平線的 AI 布局也已在國際嶄露頭角，展銳、大唐、海思的 5G 部署也順利進行中。2017 年比特大陸芯片銷售額達到 143 億元人民幣，僅次于華為海思，成為中國第二大的 IC 設計公司，主要受益于比特幣持續暴漲。比特大陸成立于 2013 年，由吳忌寒和芯片設計專家詹克團（Micree Zhan）聯合創辦，是一家生產比特幣挖礦機、定制芯片、運營“礦池”（比特幣礦工工廠）的初創公司。

　　中國存儲器長江存儲、合肥睿力、晉華集成 2018 年開始產能逐步開出，其中 NAND Flash 發展上最有望突圍的為長江存儲，將在 2017 完成 32 層 3D NAND 研發布，有望在 2018 年量產之時，完成 64 層設計； DRAM 發展最快的則為合肥睿力，去年完成廠房封頂并且移入測試機臺移， 2018 年年初可以進入試產階段。長江存儲：國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，項目一期規劃投資 240 億美元，占地面積 1968 畝，于 2016 年 12 月 30 日正式開工建設，將建設 3 座全球單座潔凈面積最大的 3D NAND Flash 生產廠房，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過 3 萬美元。其中，（一期）一號生產及動力廠房在 2017 年 9 月份實現提前封，預計將于 2018 年投入使用。項目（一期）達產后，總產能將達到 30 萬片/月，年產值將超過 100 億美元。合肥睿力： 2017 年初合肥睿力宣布以 72 億美元興建 12 吋晶圓廠，預計最大單月產能達 12.5 萬片規模，計劃 2017年廠房建成， 2018 年上半年完成設備安裝和調試，預計下半年產品研發成功。晉華集成： 2017 年 2 月份正式落地晉江，該項目規劃面積 594 畝，一期總投資 370 億元，主要建設 12 英寸內存晶圓生產線，產能規模為月產 6 萬片內存晶圓；二期將新增 6 萬片內存晶圓產能規模。在技術路徑上，將首先依托臺灣聯華電子集團共同開展產品研發和制程設計，達到一期項目產品要求后，轉入自主建設研發體系、自主開發新世紀產品，持續跟進全球內存制造前沿技術。