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2016年中國IGZO市場現(xiàn)狀分析及發(fā)展趨勢預(yù)測
2016/9/11 11:02:23 來源:中國產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究網(wǎng) 【字體:大 中 小】【收藏本頁】【打印】【關(guān)閉】
核心提示:IGZO(indium gallium zinc oxide)為銦鎵鋅氧化物的縮寫,非晶IGZO 材料是用于新一代薄膜晶體管技術(shù)中的溝道層材料,是金屬氧化物(Oxied)面板技術(shù)的一種。目前,液晶屏幕中所使用的薄膜晶體管技術(shù)主要有三種:AlIGZO(indium gallium zinc oxide)為銦鎵鋅氧化物的縮寫,非晶IGZO 材料是用于新一代薄膜晶體管技術(shù)中的溝道層材料,是金屬氧化物(Oxied)面板技術(shù)的一種。目前,液晶屏幕中所使用的薄膜晶體管技術(shù)主要有三種:Alpha-Si(a-Si,無定形硅)、IGZO(銦鎵鋅氧化物)、LTPS(低溫多晶硅)。
IGZO 液晶面板結(jié)構(gòu)
TFT-LCD 液晶屏幕結(jié)構(gòu)
IGZO 與非晶質(zhì)硅(a-Si)材料相比,電子遷移率較a-SiTFT 快20 到50 倍,IGZO使用銦、鎵、鋅、氧氣,取代了傳統(tǒng)的a-Si 現(xiàn)用圖層,可以大大降低液晶屏幕的響應(yīng)時間,縮小電晶體尺寸,提高液晶面板畫素的開口率,較易實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化,由此將簡單的外部電路整合至面板之中,使移動裝臵更輕薄,耗電量也降至之前的三分之二。同時,IGZO 還可生產(chǎn)更大分辨率、更高刷新率(240Hz 或更高)的液晶面板。此外,IGZO 具有很好的彎曲性能且電子遷移率高,能夠很好的配合柔性O(shè)LED。
IGZO 與a-Si 對比
對比特征a-SiIGZO電子遷移率底高,比a-Si高20到50倍響應(yīng)時間長短開口率底高耗電大小厚薄厚輕薄驅(qū)動OLED不能能IGZO 與LTPS 均對a-Si 形成了替代,IGZO 相比LTPS 也有較多優(yōu)勢。從技術(shù)上看,IGZO 比LTPS 屏幕邊框更窄,耗電更低;應(yīng)用在柔性AMOLED 上時,IGZO 成膜溫度更低,可使用透明PI 膜,而LTPS 成膜溫度較高,需要用泛黃色PI 膜。從成本上看,LTPS 需要雷射退火制程,比IGZO 多3-5 道光罩,所需設(shè)備增加;廠房空間上LTPS 比IGZO 多至少12%。
IGZO 與LTPS 制程溫度對比
技術(shù)高溫制程溫度備注LTPS除氫>400℃-ELA結(jié)晶>550℃瞬間溫度RTA>500℃-IGZOGI成膜350℃已有250℃制程參數(shù),Holst有160℃SE退火300℃在分辨率上IGZO 略遜于LTPS,良品率上IGZO 高于LTPS。在應(yīng)用方面,IGZO 屏幕分辨率比LTPS 底,夏普去年和最近推出的Aquos 系列手機(jī)分辨率均為1080P,將近500PPI,三星推出的S7/S7 Edge 超過500PPI,最高達(dá)576PPI,但是人眼視覺分辨率僅到326PPI,因此IGZO 分辨率雖略低,但并不影響視覺效果。良品率方面,除了日韓,LTPS 良品率均不高,而IGZO 良品率可做到80%,最高可達(dá)95%。
智能手機(jī)高清化趨勢明顯,IGZO 和LTPS 逐漸快速替代a-Si。2015 年全球智能手機(jī)出貨量為18.2 億部,其中LTPS 和金屬氧化物(即為IGZO)TFT LCD 屏幕占比29.8%,預(yù)計2016 年份額將上升到34.6%,智能手機(jī)出貨量預(yù)計為19.5 億部。
2015 年各種智能手機(jī)面板技術(shù)全球市場份額
2016 年各種智能手機(jī)面板技術(shù)全球市場份額
鴻海收購夏普,蘋果手機(jī)采用IGZO 屏幕概率大大增加。鴻海一直以來是蘋果的親密合作伙伴和最大代工廠,收購夏普之后,蘋果可借助夏普的屏幕技術(shù)對抗三星。國內(nèi)大型手機(jī)品牌紛紛采用IGZO 屏幕。智能手機(jī)高清化趨勢明顯,手機(jī)廠商紛紛采用高階的LTPS/IGZO 屏幕。由于技術(shù)和產(chǎn)能的限制,國內(nèi)使用IGZO 屏幕的手機(jī)不多,有小米4、魅族MX3/MX4 和nubia Z7 等,但后續(xù)IGZO 產(chǎn)能增加將會提升IGZO屏幕的使用范圍。
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