據Korea Times報導，全球最大存儲器制造商三星電子(Samsung Electronics)計劃于2010年將全球DRAM市場市占率提升至45%。

        三星高層透露，三星看好存儲器芯片市場的未來展望，計劃于2010年將全球DRAM市占率提升至45%，同時，這項策略代表三星將從2009年預期的36%市占率，提升9個百分點。

        三星發言人Kin Choon-gon不愿證實這項消息，表示此訊息相當敏感，僅透露三星預期2010年在DRAM市場市占率將些微增加數個百分點。

        此外，三星高層表示，受惠于智能型手機銷售增加，三星也計劃2010年將于NAND Flash市場的市占率由2009年預期的40%提升至45%。

        三星于DRAM和NAND Flash市場皆為領導廠商，根據研究機構DRAMeXchange資料，至2009年第3季為止，三星在DRAM市場市占率為31.1%，NAND Flash市場則為38.5%;此外，三星2010年的目標透露三星對存儲器芯片產業的積極態度。

        三星投資關系(Investor Relations team)負責人Robert Yi表示，2009年三星投資于存儲器芯片的金額約為4兆韓元(約35億美元)，而2010年投資金額至少將增加至5.5兆韓元。

        此外，三星芯片部門負責人Kwon Oh-hyun表示，2010年全球存儲器產業將成長16%，同時，Kwon Oh-hyun預期2010年市場將供不應求，存儲器價格將持續止跌回升。

        投資機構Woori Investment分析師Park Young-joo表示，三星有可能達成調升的目標，三星先進的技術和低成本優勢將幫助三星增加市占率，此外，三星的芯片部門為帶動三星凈利提升的主要動力。

        三星日前表示計劃于2012年增加半導體營收至255億美元，較2009年的預期營收166億美元成長超過50%。