5月14日，國(guó)家科技體制改革和創(chuàng)新體系建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組第十八次會(huì)議在北京召開(kāi)，會(huì)議專題討論了面向后摩爾定律時(shí)代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)。然而隨著硅工藝的發(fā)展愈發(fā)趨近于其物理極限，摩爾定律面臨巨大挑戰(zhàn)。后摩爾定律時(shí)代來(lái)臨，一批顛覆性技術(shù)也被提出并不斷發(fā)展，IC產(chǎn)業(yè)面臨新的發(fā)展契機(jī)。中國(guó)應(yīng)如何借此次技術(shù)革新之機(jī)，大力發(fā)展顛覆性技術(shù)，加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，實(shí)現(xiàn)趕超？

　　一些顛覆性技術(shù)開(kāi)始浮出水面

　　如今，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展，摩爾定律一直被視為“金科玉律”般的存在。摩爾定律既不是數(shù)學(xué)公式，也不是物理原理，而是基于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出的預(yù)言：通過(guò)芯片工藝的演進(jìn)，每18個(gè)月芯片上可容納的晶體管數(shù)量翻一番，達(dá)到提升芯片性能和降低成本的目的。

　　然而，隨著芯片工藝的不斷演進(jìn)，硅工藝的發(fā)展愈發(fā)趨近于其物理極限，讓晶體管繼續(xù)縮小也變得愈發(fā)困難。據(jù)悉，芯片從28nm推進(jìn)到5nm的成本已翻了十倍有余，開(kāi)發(fā)周期也拉長(zhǎng)到了18~36個(gè)月。且越來(lái)越高的集成度，需要龐大的軟硬件團(tuán)隊(duì)無(wú)縫協(xié)同來(lái)進(jìn)行開(kāi)發(fā)，導(dǎo)致有可能進(jìn)一步拉低芯片良率，盈利風(fēng)險(xiǎn)也愈發(fā)明顯。

　　知名業(yè)內(nèi)專家莫大康表示，后摩爾定律時(shí)代并非意味著摩爾定律的終結(jié)，而是原始的摩爾定律開(kāi)始有了一定的變化。隨著摩爾定律的不斷發(fā)展，摩爾定律由最原始的尺寸不斷縮小，演變?yōu)榱巳齻�(gè)方向：其一，延續(xù)傳統(tǒng)摩爾定律的模式，通過(guò)尺寸不斷縮小來(lái)提升芯片的性能和功耗；其二，成熟制程向高度集成化發(fā)展，這也是目前中國(guó)集成電路主推的方向；其三，發(fā)展新器件、新架構(gòu)、新工藝以及新材料，最有代表性的便是目前主推的芯粒（Chiplet）技術(shù)。

　　一些顛覆性技術(shù)也開(kāi)始浮出水面，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長(zhǎng)周鵬認(rèn)為，后摩爾定律時(shí)代的顛覆性技術(shù)將從材料、器件、架構(gòu)上進(jìn)行革新，并給中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更多的發(fā)展機(jī)會(huì)。從材料上而言，碳納米管集成電路或者說(shuō)廣義的類碳基電子將為集成電路帶來(lái)非常大的空間和發(fā)展機(jī)會(huì)。例如，二維原子晶體是后摩爾定律時(shí)代電子器件的重要載體。

　　從器件上來(lái)說(shuō)，新材料會(huì)使器件具備很多新的特性。這些新的特性會(huì)產(chǎn)生新的功能，使得后摩爾定律或者說(shuō)超越摩爾定律具備更多的可能。再通過(guò)碳硅融合這樣一個(gè)可行性極強(qiáng)的技術(shù)路徑，能夠充分賦能我國(guó)新型科技體制，發(fā)揮制度優(yōu)勢(shì)，做到與國(guó)際先發(fā)單位競(jìng)爭(zhēng)互補(bǔ)。

　　“在架構(gòu)上，由于需求的變化，使我們具有了更多的發(fā)展機(jī)會(huì)，而不僅僅是沿著先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)前進(jìn)，這是非常重要的一個(gè)后摩爾定律時(shí)代特征。例如存算一體、感算一體、感存算一體等。根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景會(huì)有不同的優(yōu)勢(shì)，特別是新材料和新器件能夠在新架構(gòu)上具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可以與硅技術(shù)做到互融互補(bǔ)。”周鵬向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示。

　　異構(gòu)集成或成后摩爾時(shí)代技術(shù)經(jīng)典

　　中國(guó)工程院院士、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心領(lǐng)域首席科學(xué)家吳漢明指出，后摩爾定律時(shí)代的來(lái)臨，中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)面臨重大機(jī)遇。然而，盡管顛覆性技術(shù)的到來(lái)為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了無(wú)限可能，但同時(shí)也存在很多挑戰(zhàn)。

　　異構(gòu)集成是后摩爾定律時(shí)代典型的發(fā)展技術(shù)。該技術(shù)用于封裝，在滿足需求的情況下，采用芯粒（Chiplet）技術(shù)，可快速有效地發(fā)揮出芯片的功能，具有設(shè)計(jì)難度低、制造便捷和成本低等優(yōu)勢(shì)。這一發(fā)展方向使得芯片發(fā)展從一味追求功耗下降及性能轉(zhuǎn)向更加務(wù)實(shí)地滿足市場(chǎng)需求，也成為了如今各大芯片廠商的“寵兒”。例如，英特爾推出可將邏輯芯片與存儲(chǔ)芯片進(jìn)行3D封裝的Foveros技術(shù)，臺(tái)積電推出可以實(shí)現(xiàn)晶圓對(duì)晶圓鍵合的多芯片堆疊SoIC技術(shù)等，都是架構(gòu)創(chuàng)新方向的有益探索。與此同時(shí)，該項(xiàng)技術(shù)也是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在后摩爾定律時(shí)代的重點(diǎn)發(fā)展技術(shù)，也是與國(guó)際先進(jìn)水平差距較小的技術(shù)。

　　然而，盡管與傳統(tǒng)的單片集成相比，Chiplet在許多方面具有優(yōu)勢(shì)和潛力，但是該技術(shù)的發(fā)展仍存在很多挑戰(zhàn)，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)化遲遲無(wú)法落地。

　　第一，異構(gòu)集成的基礎(chǔ)是先進(jìn)的封裝技術(shù)，需要能夠做到低成本和高可靠性，對(duì)于集成技術(shù)而言是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，與此同時(shí)，對(duì)于這種“超級(jí)”異構(gòu)系統(tǒng)，其更大的優(yōu)化空間也同時(shí)意味著架構(gòu)優(yōu)化的難度也會(huì)大大增加。第二，如今異構(gòu)集成能否成功的另一個(gè)大問(wèn)題是質(zhì)量保障。雖然相對(duì)傳統(tǒng)IP，Chiplet是經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的產(chǎn)品，本身保證了物理實(shí)現(xiàn)的正確性。但它仍然有個(gè)良率的問(wèn)題，而且如果SiP其中的一個(gè)硅片有問(wèn)題，則整個(gè)系統(tǒng)都會(huì)受影響，代價(jià)很高。因此，集成到SiP中的Chiplet必須保證100%無(wú)故障，難度非常之高。

　　與此同時(shí)，浙江大學(xué)教授嚴(yán)曉浪也認(rèn)為，盡管在Chiplet的高端先進(jìn)封裝技術(shù)方面，中國(guó)的技術(shù)創(chuàng)新與國(guó)際先進(jìn)水平的差距相對(duì)較小，并且臺(tái)積電、三星、英特爾和蘋(píng)果等大企業(yè)開(kāi)展這方面工作已有數(shù)年，但基本上是自用技術(shù)，依舊沒(méi)有形成產(chǎn)業(yè)體系。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)若想在后摩爾定律時(shí)代實(shí)現(xiàn)Chiplet的產(chǎn)業(yè)化落地，也絕非易事。

　　誰(shuí)是中國(guó)IC業(yè)實(shí)現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的砝碼？

　　可見(jiàn)，隨著后摩爾定律時(shí)代的來(lái)臨，對(duì)于我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而言，技術(shù)迭代的困難和挑戰(zhàn)也隨之而來(lái)，若想實(shí)現(xiàn)突破也絕非易事。“新的技術(shù)從技術(shù)到產(chǎn)品到商品再到產(chǎn)業(yè)化，有很長(zhǎng)的距離要走，并且哪條路徑能夠成功，目前來(lái)看還很難說(shuō)。”芯謀科技芯謀研究首席分析師顧文軍向《中國(guó)電子報(bào)》記者說(shuō)道。

　　然而，盡管困難重重，后摩爾定律時(shí)代的來(lái)臨也為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了“后來(lái)者居上”的可能。

　　“面對(duì)后摩爾定律時(shí)代的來(lái)臨，若想實(shí)現(xiàn)突破，我們不僅要沿摩爾定律做先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)，也要為后摩爾定律時(shí)代的新技術(shù)、新材料、新器件來(lái)進(jìn)行積極的扶持，充分發(fā)揮我國(guó)體制優(yōu)勢(shì)和科研院所人力優(yōu)勢(shì)，完全可以實(shí)現(xiàn)與國(guó)外先進(jìn)技術(shù)的相互交叉推動(dòng)。”周鵬說(shuō)道。

　　周鵬舉例，近期臺(tái)灣大學(xué)、臺(tái)積電與麻省理工學(xué)院共同提出的利用半金屬鉍（Bi）作為二維材料的接觸電極的研究成果，給我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展帶來(lái)了新的思路，這便是后摩爾定律時(shí)代，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的重要砝碼。

　　“這項(xiàng)新技術(shù)的突破，將解決二維半導(dǎo)體進(jìn)入產(chǎn)業(yè)界的主要問(wèn)題，是集成電路能在后摩爾定律時(shí)代繼續(xù)前進(jìn)的重要技術(shù)。二維半導(dǎo)體已被國(guó)際主要前沿集成電路研發(fā)機(jī)構(gòu)重金投入，不管是在工藝突破還是新器件結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)制造方面，我國(guó)都處于同等位置，應(yīng)該進(jìn)一步加強(qiáng)優(yōu)勢(shì)，補(bǔ)足短板，在新一代集成電路關(guān)鍵技術(shù)上與國(guó)際機(jī)構(gòu)形成競(jìng)爭(zhēng)互補(bǔ)關(guān)系。在未來(lái)性能與功耗平衡上，此次二維半導(dǎo)體的接觸電極技術(shù)的突破，將推動(dòng)高性能低功耗CPU及存儲(chǔ)器的發(fā)展。未來(lái)，隨著芯片制程的不斷延伸，每突破一步都非常困難，在未來(lái)1nm甚至1nm以下的工藝中，如何能夠把控好性能與功耗之間的平衡是目前需要突破的一大技術(shù)瓶頸，在關(guān)鍵工藝上實(shí)現(xiàn)碳硅融合也將是我國(guó)取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的重要砝碼。”周鵬說(shuō)。

　　可見(jiàn)，新的技術(shù)演進(jìn)，對(duì)于后來(lái)者而言，是一個(gè)絕佳的超越機(jī)會(huì)。“但是成功也是需要積累的，目前還是要踏踏實(shí)實(shí)，把現(xiàn)在的技術(shù)、產(chǎn)品做好，同時(shí)對(duì)新技術(shù)保持高度的關(guān)注以及投入研發(fā)。”顧文軍說(shuō)道。（記者 沈叢）

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